Forum CDRinfo.pl - Podgląd pojedynczego posta - Jaka pamięć RAM do NF7-S2(G)? -> Gothic 3

Burt · 23.07.2007, 21:56

Odkopuje bo mam problem z now***261; ko***347;ci***261;.
Mia***322;em 2X 512 Mb Twinmos(400Mhz), dokupi***322;em 1 Gb Good Ram(400Mhz) i w miejsce jednej 512 wstawi***322;em t***261; now***261;.Niestety cz***281;stotliwo***347;***263; spad***322;a mi do 333Mhz.Planuje dokupi***263; nast***281;pn***261; 1Gb Good Ram i wiem ,***380;e ten problem zniknie ale na razie ''No more many''

.Do tego czasu chcia***322;bym aby obie zapiernicza***322;y na 400Mhz.To przez timingi bo Twinmos ma 2.5 a Good Ram 3.0.Jak podnie***347;***263; timingi w Twinmos'ie bo tej nowej nie chc***281; rusza***263;?.Albo te***380; jesli macie inne pomys***322;y to prosz***281; bardzo.Ja chc***281; 400Mhz i koniec.

Aby zobrazowa***263; co i jak do***322;***261;czy***322;em loga.

--------[ P***322;yta g***322;***243;wna ]------------------------------------------------------------------------------------------------

W***322;a***347;ciwo***347;ci p***322;yty g***322;***243;wnej:
ID p***322;yty g***322;***243;wnej 63-0210-000000-00101111-090505-K8M800$A0347001_BIOS DATE: 09/05/05 19:17:03 VER: 08.00.12
Nazwa p***322;yty g***322;***243;wnej Asus A8V-MX

W***322;a***347;ciwo***347;ci magistrali FSB:
Typ magistrali AMD Hammer
Rzeczywista cz***281;stotliwo***347;***263; taktowania 200 MHz
Efektywna cz***281;stotliwo***347;***263; taktowania 200 MHz
Cz***281;stotliwo***347;***263; taktowania HyperTransport 800 MHz

W***322;a***347;ciwo***347;ci magistrali pami***281;ci:
Typ magistrali DDR SDRAM
Szeroko***347;***263; magistrali 64-bitowy(a)
DRAM:FSB Ratio CPU/12
Rzeczywista cz***281;stotliwo***347;***263; taktowania 167 MHz (DDR)
Efektywna cz***281;stotliwo***347;***263; taktowania 333 MHz
Przepustowo***347;***263; 2667 MB/sek

Informacje fizyczne p***322;yty g***322;***243;wnej:
Liczba gniazd procesora 1 Socket 939
Liczba gniazd rozszerze***324; 2 PCI, 1 PCI-E x1, 1 AGP
Liczba gniazd pami***281;ci 2 DDR DIMM
Urz***261;dzenia zintegrowane z p***322;yt***261; g***322;***243;wn***261; Audio, Video, LAN
Wsp***243;***322;czynnik postaci Micro ATX
Rozmiar p***322;yty g***322;***243;wnej 220 mm x 240 mm
Mikrouk***322;ad p***322;yty g***322;***243;wnej K8M800
Dodatkowe w***322;asno***347;ci Q-Fan, Stepless Freq Selection

[ DIMM1: M2G9JA8AMK9F081AAD ]

W***322;a***347;ciwo***347;ci modu***322;u pami***281;ci:
Nazwa modu***322;u M2G9JA8AMK9F081AAD
Numer seryjny 87AD268Bh (2334567815)
Data produkcji Tydzie***324; 4 / 2005
Rozmiar modu***322;u 512 MB (2 ranks, 4 banks)
Typ modu***322;u Unbuffered
Typ pami***281;ci DDR SDRAM
Szybko***347;***263; pami***281;ci PC3200 (200 MHz)
Szeroko***347;***263; modu***322;u 64 bit
Napi***281;cie modu***322;u SSTL 2.5
Metoda detekcji b***322;***281;d***243;w Brak
Szybko***347;***263; od***347;wie***380;ania Zredukowana (7.8 us), Self-Refresh

Taktowanie pami***281;ci:
@ 200 MHz 2.5-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-14-2 (RC-RFC-RRD)

W***322;asno***347;ci modu***322;u pami***281;ci:
Early RAS# Precharge Nieobs***322;ugiwane
Auto-Precharge Nieobs***322;ugiwane
Precharge All Nieobs***322;ugiwane
Write1/Read Burst Nieobs***322;ugiwane
Buffered Address/Control Inputs Nieobs***322;ugiwane
Registered Address/Control Inputs Nieobs***322;ugiwane
On-Card PLL (Clock) Nieobs***322;ugiwane
Buffered DQMB Inputs Nieobs***322;ugiwane
Registered DQMB Inputs Nieobs***322;ugiwane
Differential Clock Input Obs***322;ugiwane
Redundant Row Address Nieobs***322;ugiwane

[ DIMM2: GR400D64L3/1G ]

W***322;a***347;ciwo***347;ci modu***322;u pami***281;ci:
Nazwa modu***322;u GR400D64L3/1G
Numer seryjny Brak
Rozmiar modu***322;u 1024 MB (2 ranks, 4 banks)
Typ modu***322;u Unbuffered
Typ pami***281;ci DDR SDRAM
Szybko***347;***263; pami***281;ci PC3200 (200 MHz)
Szeroko***347;***263; modu***322;u 64 bit
Napi***281;cie modu***322;u SSTL 2.5
Metoda detekcji b***322;***281;d***243;w Brak
Szybko***347;***263; od***347;wie***380;ania Zredukowana (7.8 us), Self-Refresh

Taktowanie pami***281;ci:
@ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-14-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-12-2 (RC-RFC-RRD)
@ 133 MHz 2.0-2-2-6 (CL-RCD-RP-RAS) / 8-10-2 (RC-RFC-RRD)

W***322;asno***347;ci modu***322;u pami***281;ci:
Early RAS# Precharge Obs***322;ugiwane
Auto-Precharge Nieobs***322;ugiwane
Precharge All Nieobs***322;ugiwane
Write1/Read Burst Nieobs***322;ugiwane
Buffered Address/Control Inputs Nieobs***322;ugiwane
Registered Address/Control Inputs Nieobs***322;ugiwane
On-Card PLL (Clock) Nieobs***322;ugiwane
Buffered DQMB Inputs Nieobs***322;ugiwane
Registered DQMB Inputs Nieobs***322;ugiwane
Differential Clock Input Obs***322;ugiwane
Redundant Row Address Nieobs***322;ugiwane

[ Mostek p***243;***322;nocny (Northbridge): AMD Hammer IMC ]

W***322;a***347;ciwo***347;ci mostka p***243;***322;nocnego (Northbridge):
Mostek p***243;***322;nocny (Northbridge) AMD Hammer IMC
Obs***322;ugiwane typy pami***281;ci DDR-200 SDRAM, DDR-266 SDRAM, DDR-333 SDRAM, DDR-400 SDRAM
Numer wydania 00
In-Order Queue Depth 8

Kontroler pami***281;ci:
Typ Dual Channel (128-bitowy(a))
Aktywny tryb Single Channel (64-bitowy(a))

Taktowanie pami***281;ci:
CAS Latency (CL) 2.5T
RAS To CAS Delay (tRCD) 3T
RAS Precharge (tRP) 3T
RAS Active Time (tRAS) 7T
Row Cycle Time (tRC) 10T
Row Refresh Cycle Time (tRFC) 12T
Command Rate (CR) 2T
RAS To RAS Delay (tRRD) 2T
Write Recovery Time (tWR) 3T
Read To Write Delay (tRTW) 3T
Write To Read Delay (tWTR) 1T
Write CAS Latency (tWCL) 1T
Refresh Period (tREF) 166 MHz 7.8 us
DQS Skew Control Wy***322;***261;czone
DRAM Drive Strength Normalna
DRAM Data Drive Strength 4 (No Reduction)
Max Async Latency 7 ns
Read Preamble Time 6.0 ns
Idle Cycle Limit 16
Dynamic Idle Cycle Counter W***322;***261;czone
Read/Write Queue Bypass 8
Bypass Max 4
32-byte Granularity W***322;***261;czone

Korekcja b***322;***281;d***243;w:
ECC Obs***322;ugiwane, Wy***322;***261;czone
ChipKill ECC Obs***322;ugiwane, Wy***322;***261;czone
RAID Nieobs***322;ugiwane
DRAM Scrub Rate Wy***322;***261;czone
L1 Data Cache Scrub Rate Wy***322;***261;czone
L2 Cache Scrub Rate Wy***322;***261;czone

Liczba gniazd pami***281;ci:
Gniazdo DRAM nr 1 512 MB (PC3200 DDR SDRAM)
Gniazdo DRAM nr 2 1024 MB (PC3200 DDR SDRAM)

Producent mikrouk***322;adu p***322;yty g***322;***243;wnej:
Nazwa firmy Advanced Micro Devices, Inc.
Informacje o produkcie http://www.amd.com/us-en/Processors/...52_873,00.html
Uaktualnienie sterownik***243;w http://www.amd.com/us-en/Processors/...1_2336,00.html
Driver Update http://driveragent.com?ref=59

--------[ BIOS ]--------------------------------------------------------------------------------------------------------

W***322;a***347;ciwo***347;ci BIOS'u:
Typ BIOS'u AMI
Data BIOS'u systemowego 09/05/05
Data BIOS'u wideo 07/18/06

Producent BIOS'u:
Nazwa firmy American Megatrends Inc.
Informacje o produkcie http://www.ami.com/amibios
Uaktualnienia BIOS'u http://www.esupport.com/biosagent/in...m?refererid=40

23.07.2007, 21:56	#12
Burt Precz z internetem Data rejestracji: 20.10.2005 Lokalizacja: Gdzieś na stronach z gołymi babami Posty: 1,424	Odkopuje bo mam problem z now*261; ko347;ci261;. Mia322;em 2X 512 Mb Twinmos(400Mhz), dokupi322;em 1 Gb Good Ram(400Mhz) i w miejsce jednej 512 wstawi322;em t261; now261;.Niestety cz281;stotliwo347;263; spad322;a mi do 333Mhz.Planuje dokupi263; nast281;pn261; 1Gb Good Ram i wiem ,380;e ten problem zniknie ale na razie ''No more many'' .Do tego czasu chcia322;bym aby obie zapiernicza322;y na 400Mhz.To przez timingi bo Twinmos ma 2.5 a Good Ram 3.0.Jak podnie347;263; timingi w Twinmos'ie bo tej nowej nie chc281; rusza263;?.Albo te380; jesli macie inne pomys322;y to prosz281; bardzo.Ja chc281; 400Mhz i koniec. Aby zobrazowa263; co i jak do322;261;czy322;em loga. --------[ P322;yta g322;243;wna ]------------------------------------------------------------------------------------------------ W322;a347;ciwo347;ci p322;yty g322;243;wnej: ID p322;yty g322;243;wnej 63-0210-000000-00101111-090505-K8M800$A0347001_BIOS DATE: 09/05/05 19:17:03 VER: 08.00.12 Nazwa p322;yty g322;243;wnej Asus A8V-MX W322;a347;ciwo347;ci magistrali FSB: Typ magistrali AMD Hammer Rzeczywista cz281;stotliwo347;263; taktowania 200 MHz Efektywna cz281;stotliwo347;263; taktowania 200 MHz Cz281;stotliwo347;263; taktowania HyperTransport 800 MHz W322;a347;ciwo347;ci magistrali pami281;ci: Typ magistrali DDR SDRAM Szeroko347;263; magistrali 64-bitowy(a) DRAM:FSB Ratio CPU/12 Rzeczywista cz281;stotliwo347;263; taktowania 167 MHz (DDR) Efektywna cz281;stotliwo347;263; taktowania 333 MHz Przepustowo347;263; 2667 MB/sek Informacje fizyczne p322;yty g322;243;wnej: Liczba gniazd procesora 1 Socket 939 Liczba gniazd rozszerze324; 2 PCI, 1 PCI-E x1, 1 AGP Liczba gniazd pami281;ci 2 DDR DIMM Urz261;dzenia zintegrowane z p322;yt261; g322;243;wn261; Audio, Video, LAN Wsp243;322;czynnik postaci Micro ATX Rozmiar p322;yty g322;243;wnej 220 mm x 240 mm Mikrouk322;ad p322;yty g322;243;wnej K8M800 Dodatkowe w322;asno347;ci Q-Fan, Stepless Freq Selection [ DIMM1: M2G9JA8AMK9F081AAD ] W322;a347;ciwo347;ci modu322;u pami281;ci: Nazwa modu322;u M2G9JA8AMK9F081AAD Numer seryjny 87AD268Bh (2334567815) Data produkcji Tydzie324; 4 / 2005 Rozmiar modu322;u 512 MB (2 ranks, 4 banks) Typ modu322;u Unbuffered Typ pami281;ci DDR SDRAM Szybko347;263; pami281;ci PC3200 (200 MHz) Szeroko347;263; modu322;u 64 bit Napi281;cie modu322;u SSTL 2.5 Metoda detekcji b322;281;d243;w Brak Szybko347;263; od347;wie380;ania Zredukowana (7.8 us), Self-Refresh Taktowanie pami281;ci: @ 200 MHz 2.5-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-14-2 (RC-RFC-RRD) W322;asno347;ci modu322;u pami281;ci: Early RAS# Precharge Nieobs322;ugiwane Auto-Precharge Nieobs322;ugiwane Precharge All Nieobs322;ugiwane Write1/Read Burst Nieobs322;ugiwane Buffered Address/Control Inputs Nieobs322;ugiwane Registered Address/Control Inputs Nieobs322;ugiwane On-Card PLL (Clock) Nieobs322;ugiwane Buffered DQMB Inputs Nieobs322;ugiwane Registered DQMB Inputs Nieobs322;ugiwane Differential Clock Input Obs322;ugiwane Redundant Row Address Nieobs322;ugiwane [ DIMM2: GR400D64L3/1G ] W322;a347;ciwo347;ci modu322;u pami281;ci: Nazwa modu322;u GR400D64L3/1G Numer seryjny Brak Rozmiar modu322;u 1024 MB (2 ranks, 4 banks) Typ modu322;u Unbuffered Typ pami281;ci DDR SDRAM Szybko347;263; pami281;ci PC3200 (200 MHz) Szeroko347;263; modu322;u 64 bit Napi281;cie modu322;u SSTL 2.5 Metoda detekcji b322;281;d243;w Brak Szybko347;263; od347;wie380;ania Zredukowana (7.8 us), Self-Refresh Taktowanie pami281;ci: @ 200 MHz 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-14-2 (RC-RFC-RRD) @ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-12-2 (RC-RFC-RRD) @ 133 MHz 2.0-2-2-6 (CL-RCD-RP-RAS) / 8-10-2 (RC-RFC-RRD) W322;asno347;ci modu322;u pami281;ci: Early RAS# Precharge Obs322;ugiwane Auto-Precharge Nieobs322;ugiwane Precharge All Nieobs322;ugiwane Write1/Read Burst Nieobs322;ugiwane Buffered Address/Control Inputs Nieobs322;ugiwane Registered Address/Control Inputs Nieobs322;ugiwane On-Card PLL (Clock) Nieobs322;ugiwane Buffered DQMB Inputs Nieobs322;ugiwane Registered DQMB Inputs Nieobs322;ugiwane Differential Clock Input Obs322;ugiwane Redundant Row Address Nieobs322;ugiwane [ Mostek p243;322;nocny (Northbridge): AMD Hammer IMC ] W322;a347;ciwo347;ci mostka p243;322;nocnego (Northbridge): Mostek p243;322;nocny (Northbridge) AMD Hammer IMC Obs322;ugiwane typy pami281;ci DDR-200 SDRAM, DDR-266 SDRAM, DDR-333 SDRAM, DDR-400 SDRAM Numer wydania 00 In-Order Queue Depth 8 Kontroler pami281;ci: Typ Dual Channel (128-bitowy(a)) Aktywny tryb Single Channel (64-bitowy(a)) Taktowanie pami281;ci: CAS Latency (CL) 2.5T RAS To CAS Delay (tRCD) 3T RAS Precharge (tRP) 3T RAS Active Time (tRAS) 7T Row Cycle Time (tRC) 10T Row Refresh Cycle Time (tRFC) 12T Command Rate (CR) 2T RAS To RAS Delay (tRRD) 2T Write Recovery Time (tWR) 3T Read To Write Delay (tRTW) 3T Write To Read Delay (tWTR) 1T Write CAS Latency (tWCL) 1T Refresh Period (tREF) 166 MHz 7.8 us DQS Skew Control Wy322;261;czone DRAM Drive Strength Normalna DRAM Data Drive Strength 4 (No Reduction) Max Async Latency 7 ns Read Preamble Time 6.0 ns Idle Cycle Limit 16 Dynamic Idle Cycle Counter W322;261;czone Read/Write Queue Bypass 8 Bypass Max 4 32-byte Granularity W322;261;czone Korekcja b322;281;d243;w: ECC Obs322;ugiwane, Wy322;261;czone ChipKill ECC Obs322;ugiwane, Wy322;261;czone RAID Nieobs322;ugiwane DRAM Scrub Rate Wy322;261;czone L1 Data Cache Scrub Rate Wy322;261;czone L2 Cache Scrub Rate Wy322;261;czone Liczba gniazd pami281;ci: Gniazdo DRAM nr 1 512 MB (PC3200 DDR SDRAM) Gniazdo DRAM nr 2 1024 MB (PC3200 DDR SDRAM) Producent mikrouk322;adu p322;yty g322;243;wnej: Nazwa firmy Advanced Micro Devices, Inc. Informacje o produkcie http://www.amd.com/us-en/Processors/...52_873,00.html Uaktualnienie sterownik243;w http://www.amd.com/us-en/Processors/...1_2336,00.html Driver Update http://driveragent.com?ref=59 --------[ BIOS ]-------------------------------------------------------------------------------------------------------- W322;a347;ciwo347;ci BIOS'u: Typ BIOS'u AMI Data BIOS'u systemowego 09/05/05 Data BIOS'u wideo 07/18/06 Producent BIOS'u: Nazwa firmy American Megatrends Inc. Informacje o produkcie http://www.ami.com/amibios Uaktualnienia BIOS'u http://www.esupport.com/biosagent/in...m?refererid=40 __________________ ZAPROSZENIA NA PT.* Ostatnio zmieniany przez Burt : 23.07.2007 o godz. 21:58